Growth of High Permittivity Dielectrics by High Pressure Sputtering from Metallic Targets
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Growth of High Permittivity Dielectrics by High Pressure Sputtering from Metallic Targets
Pampillon Arce, Maria Angela
Springer International Publishing AG
05/2018
164
Mole
Inglês
9783319882840
15 a 20 dias
2934
Descrição não disponível.
Introduction.- Fabrication Techniques.- Characterization Techniques.- Thermal Oxidation of Gd2o3.- Plasma Oxidation of Gd2o3 and Sc2o3.- Gadolinium Scandate.- Interface Scavenging.- Gd2o3 on Inp Substrates.- Conclusions and Future Work.
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High Permittivity Dielectrics;MOSFET;MIS Devices;High Pressure Sputtering;Plasma Oxidation;InP Substrates;Scavenging Effect;Gadolinium Oxide;Scandium Oxide;Gadolinium Scandate
Introduction.- Fabrication Techniques.- Characterization Techniques.- Thermal Oxidation of Gd2o3.- Plasma Oxidation of Gd2o3 and Sc2o3.- Gadolinium Scandate.- Interface Scavenging.- Gd2o3 on Inp Substrates.- Conclusions and Future Work.
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